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DEVELOPMENT OF A HIGH DEPOSITION RATE TECHNIQUE FOR DEVICE QUALITY THIN FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON.

Von 1986-04-01 bis 1989-09-30

Projektdetails

Gesamtkosten:

Nicht verfügbar

EU-Beitrag:

Nicht verfügbar

Koordiniert in:

Greece

Thema(en):

Finanzierungsprogramm:

CSC - Cost-sharing contracts

Ziel

Koordinator

Foundation for Research and Technology-Hellas
Greece
71110 Heraklion-Crete
Greece
Administrative Kontaktangaben: CHRISTOU
Tel.: +30-2810-238480
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