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DEVELOPMENT OF A HIGH DEPOSITION RATE TECHNIQUE FOR DEVICE QUALITY THIN FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON.

De 1986-04-01 à 1989-09-30

Détails concernant le projet

Coût total:

Non disponible

Contribution de l'UE:

Non disponible

Coordonné à/au(x)/en:

Greece

Sujet(s):

Régime de financement:

CSC - Cost-sharing contracts

Objectif

Coordinateur

Foundation for Research and Technology-Hellas
Greece
71110 Heraklion-Crete
Greece