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Study of SiGe layers epitaxially grown on Si by Ion sputter deposition

Von 1992-01-01 bis 1994-12-31

Projektdetails

Gesamtkosten:

Nicht verfügbar

EU-Beitrag:

Nicht verfügbar

Koordiniert in:

France

Thema(en):

Finanzierungsprogramm:

CSC - Cost-sharing contracts

Ziel

Koordinator

UNIVERSITE DE PARIS-SUD XI
France
Université Paris XI - Bètiment 414
91405 ORSAY
France
Administrative Kontaktangaben: N/A
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