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Study of SiGe layers epitaxially grown on Si by Ion sputter deposition

Desde 1992-01-01 hasta 1994-12-31

Detalles del proyecto

Coste total:

No disponible

Aportación de la UE:

No disponible

Coordinado en:

France

Tema(s):

Régimen de financiación:

CSC - Cost-sharing contracts

Objetivo

Coordinador

UNIVERSITE DE PARIS-SUD XI
France
Université Paris XI - Bètiment 414
91405 ORSAY
France
Contacto administrativo: N/A
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