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Stoichiometry and dopant effects on the crystallographic and electronic properties of silicon carbide crystals grown by the sublimation method

Desde 1994-09-01 hasta 1995-11-30

Detalles del proyecto

Coste total:

No disponible

Aportación de la UE:

EUR 30 000

Coordinado en:

Germany

Objetivo

Coordinador

Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Germany
Martensstraße 7
91058 Erlangen
Germany
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Contacto administrativo: HOFMANN
Tel.: +49-9131-857634
Fax: +49-9131-858495

Participantes

Russian Academy of Sciences
Russia
194021 St. Petersburg
Russia
Contacto administrativo: VODAKOV
THE CHANCELLOR, MASTERS AND SCHOLARS OF THE UNIVERSITY OF CAMBRIDGE
United Kingdom
Cavendish Laboratory, Madingley Road
CB3 0HE CAMBRIDGE
United Kingdom
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Contacto administrativo: HEINE
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