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High-temperature devices fabricated on silicon carbide and solid solution of silicon carbide - aluminium nitride

Dal 1994-10-01 al 1995-09-30

Dettagli del progetto

Costo totale:

Non disponibile

Contributo UE:

EUR 50 000

Coordinato in:

France

Obiettivo

Coordinatore

Institut National Polytechnique de Grenoble
France
Avenue des Martyrs 23
38016 Grenoble
France
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Contatto amministrativo: OUISSE
Tel.: +33-76856050
Fax: +33-76856070

Partecipanti

CEA - Commissariat à l'Energie Atomique
France
38054 Grenoble
France
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Contatto amministrativo: JAUSSAUD
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Germany
91058 Erlangen
Germany
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Contatto amministrativo: PENSL
National Academy of Sciences of Ukraine
Ukraine
252028 Kiev
Ukraine
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Contatto amministrativo: LITOVCHENKO
Russian Academy of Sciences
Russia
194021 St. Petersburg
Russia
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Contatto amministrativo: ANIKIN