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Physics of strained semiconductor nanostructures based on GaSb/InAs and (Al,Ga)Sb/In(As,Sb) compounds

Desde 1995-10-01 hasta 1997-09-30

Detalles del proyecto

Coste total:

No disponible

Aportación de la UE:

EUR 61 000

Coordinado en:

Italy

Objetivo

Coordinador

Istituto Nazionale di Fisica Nucleare
Italy
Piazza dei Cavalieri 7
56126 Pisa
Italy
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Contacto administrativo: BELTRAM
Tel.: +39-50-509065
Fax: +39-50-563513

Participantes

Russian Academy of Sciences
Russia
194021 St. Petersburg
Russia
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Contacto administrativo: SURIS
Russian Academy of Sciences - Siberian Branch
Russia
630090 Novosibirsk
Russia
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Contacto administrativo: CHAPLIK
Universität Hamburg
Germany
20448 Hamburg
Germany
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Contacto administrativo: HEITMANN
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