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Physics of strained semiconductor nanostructures based on GaSb/InAs and (Al,Ga)Sb/In(As,Sb) compounds

De 1995-10-01 à 1997-09-30

Détails concernant le projet

Coût total:

Non disponible

Contribution de l'UE:

EUR 61 000

Coordonné à/au(x)/en:

Italy

Objectif

Coordinateur

Istituto Nazionale di Fisica Nucleare
Italy
Piazza dei Cavalieri 7
56126 Pisa
Italy
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Contact administratif: BELTRAM
Tél.: +39-50-509065
Fax: +39-50-563513

Participants

Russian Academy of Sciences
Russia
194021 St. Petersburg
Russia
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Contact administratif: SURIS
Russian Academy of Sciences - Siberian Branch
Russia
630090 Novosibirsk
Russia
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Contact administratif: CHAPLIK
Universität Hamburg
Germany
20448 Hamburg
Germany
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Contact administratif: HEITMANN