Objetivo When MOS devices are submitted to electrical stress, electrically active defects called interface traps (Nit) are created at the Si-SiO2 interface. These defects lead to degradation of electrical operating parameters. It has been demonstrated that deuterium annealing greatly reduce the defect generation. The objectives of this project are to assess the benefits of deuterium annealing for different kind of devices and to evaluate its viability as an industrial process, including deuterium recycling. The process will be first studied in an RTP machine and optimised in an industrial furnace. Annealing procedures will be defined for integrated circuits: digital CMOS and NVM. Comparison of products fabricated with conventional hydrogen or deuterium annealing, never used so far, will be performed. At least, a factor 10 improved lifetime is the goal to be achieved. Ámbito científico engineering and technologyenvironmental engineeringwaste managementwaste treatment processesrecycling Programa(s) FP5-IST - Programme for research, technological development and demonstration on a "User-friendly information society, 1998-2002" Tema(s) 1.1.2.-4.8.3 - Processes, equipment and materials Convocatoria de propuestas Data not available Régimen de financiación CSC - Cost-sharing contracts Coordinador CENTRE COMMUN DE MICROELECTRONIQUE DE CROLLES Aportación de la UE Sin datos Dirección ZI DU PRE ROUX 38190 CROLLES Francia Ver en el mapa Coste total Sin datos Participantes (5) Ordenar alfabéticamente Ordenar por aportación de la UE Ampliar todo Contraer todo ADVANCED SEMICONDUCTOR MATERIALS EUROPE NV Países Bajos Aportación de la UE Sin datos Dirección REMBRANDTLAAN 7-9 3720 AC BILTHOVEN Ver en el mapa Coste total Sin datos INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH & CO. OHG Alemania Aportación de la UE Sin datos Dirección KOENIGSBRUECKER STRASSE 01099 DRESDEN Ver en el mapa Coste total Sin datos L'AIR LIQUIDE SA A DIRECTOIRE ET CONSEIL DE SURVEILLANCE Francia Aportación de la UE Sin datos Dirección QUAI D'ORSAY 75 75007 PARIS Ver en el mapa Coste total Sin datos POLITECNICO DI MILANO Italia Aportación de la UE Sin datos Dirección PIAZZA LEONARDO DA VINCI 32 20133 MILANO Ver en el mapa Coste total Sin datos STMICROELECTRONICS S.R.L. Italia Aportación de la UE Sin datos Dirección VIA OLIVETTI 2 20041 AGRATE BRIANZA Ver en el mapa Coste total Sin datos
