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Investigation of ion implantation in silicon carbide for the fabrication of advanced high power devices

Desde 1998-12-01 hasta 2001-02-28

Detalles del proyecto

Coste total:

No disponible

Aportación de la UE:

EUR 131 000

Coordinado en:

Sweden

Objetivo

Coordinador

Kungliga Tekniska Hogskolan
Sweden
Valhallavagen 79
10044 Stockholm
Sweden
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Contacto administrativo: Anders HALL?N
Tel.: +46-8-7521125
Fax: +46-8-7527782
Correo electrónico

Participantes

Crystal Growth Research Center
Russia
Ligovsky prospect 29 room 12
193036 St. Petersburg
Russia
Contacto administrativo: Svetlana Veniaminovna RENDAKOVA
Tel.: +7-812-2479337
Fax: +7-812-2476425
Correo electrónico
Electron Optronic Institute
Russia
68 M.Toreza prosp.
194233 St. Petersburg
Russia
Contacto administrativo: Vladimir Grigorjevicth KOSSOV
Tel.: +7-812-55257547
Fax: +7-812-5522876
Correo electrónico
National Academy of Sciences of Ukraine
Ukraine
Prospect Nauki, 45
252028 Kiev
Ukraine
Contacto administrativo: Victor Yakovich BRATUS'
Tel.: +380-44-2658275
Fax: +380-44-2658342
Correo electrónico
Regional Analytic Center "Mekhanobr-Analyt"
Russia
8a, 21ya Liniya V.O.
199026 St. Petersburg
Russia
Contacto administrativo: Andrei Vasilievich SHCHUKAREV
Tel.: +7-812-2172143
Fax: +7-812-2173251002
Correo electrónico
Russian Academy of Sciences
Russia
Politekhnicheskaya 26
194021 St. Petersburg
Russia
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Contacto administrativo: Eugenia Victorovna KALININA
Tel.: +7-812-2479337
Fax: +7-812-2476425
Correo electrónico
Universitat Erlangen-Nurnberg
Germany
Staudtstrasse 7, Gebaude A3
91 058 Erlangen
Germany
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Contacto administrativo: Gerhard PENSL
Tel.: +49-913-1858426
Fax: +49-913-1858426
Correo electrónico
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