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Investigation of ion implantation in silicon carbide for the fabrication of advanced high power devices

De 1998-12-01 à 2001-02-28

Détails concernant le projet

Coût total:

Non disponible

Contribution de l'UE:

EUR 131 000

Coordonné à/au(x)/en:

Sweden

Objectif

Coordinateur

Kungliga Tekniska Hogskolan
Sweden
Valhallavagen 79
10044 Stockholm
Sweden
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Contact administratif: Anders HALL?N
Tél.: +46-8-7521125
Fax: +46-8-7527782
E-mail

Participants

Crystal Growth Research Center
Russia
Ligovsky prospect 29 room 12
193036 St. Petersburg
Russia
Contact administratif: Svetlana Veniaminovna RENDAKOVA
Tél.: +7-812-2479337
Fax: +7-812-2476425
E-mail
Electron Optronic Institute
Russia
68 M.Toreza prosp.
194233 St. Petersburg
Russia
Contact administratif: Vladimir Grigorjevicth KOSSOV
Tél.: +7-812-55257547
Fax: +7-812-5522876
E-mail
National Academy of Sciences of Ukraine
Ukraine
Prospect Nauki, 45
252028 Kiev
Ukraine
Contact administratif: Victor Yakovich BRATUS'
Tél.: +380-44-2658275
Fax: +380-44-2658342
E-mail
Regional Analytic Center "Mekhanobr-Analyt"
Russia
8a, 21ya Liniya V.O.
199026 St. Petersburg
Russia
Contact administratif: Andrei Vasilievich SHCHUKAREV
Tél.: +7-812-2172143
Fax: +7-812-2173251002
E-mail
Russian Academy of Sciences
Russia
Politekhnicheskaya 26
194021 St. Petersburg
Russia
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Contact administratif: Eugenia Victorovna KALININA
Tél.: +7-812-2479337
Fax: +7-812-2476425
E-mail
Universitat Erlangen-Nurnberg
Germany
Staudtstrasse 7, Gebaude A3
91 058 Erlangen
Germany
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Contact administratif: Gerhard PENSL
Tél.: +49-913-1858426
Fax: +49-913-1858426
E-mail