Wspólnotowy Serwis Informacyjny Badan i Rozwoju - CORDIS

Investigation of ion implantation in silicon carbide for the fabrication of advanced high power devices

Od 1998-12-01 do 2001-02-28

Dane projektu

Całkowity koszt:

Niedostępne

Wkład UE:

EUR 131 000

Kraj koordynujący:

Sweden

Cel

Koordynator

Kungliga Tekniska Hogskolan
Sweden
Valhallavagen 79
10044 Stockholm
Sweden
See on map
Kontakt administracyjny: Anders HALL?N
Tel.: +46-8-7521125
Faks: +46-8-7527782
Adres e-mail

Uczestnicy

Crystal Growth Research Center
Russia
Ligovsky prospect 29 room 12
193036 St. Petersburg
Russia
Kontakt administracyjny: Svetlana Veniaminovna RENDAKOVA
Tel.: +7-812-2479337
Faks: +7-812-2476425
Adres e-mail
Electron Optronic Institute
Russia
68 M.Toreza prosp.
194233 St. Petersburg
Russia
Kontakt administracyjny: Vladimir Grigorjevicth KOSSOV
Tel.: +7-812-55257547
Faks: +7-812-5522876
Adres e-mail
National Academy of Sciences of Ukraine
Ukraine
Prospect Nauki, 45
252028 Kiev
Ukraine
Kontakt administracyjny: Victor Yakovich BRATUS'
Tel.: +380-44-2658275
Faks: +380-44-2658342
Adres e-mail
Regional Analytic Center "Mekhanobr-Analyt"
Russia
8a, 21ya Liniya V.O.
199026 St. Petersburg
Russia
Kontakt administracyjny: Andrei Vasilievich SHCHUKAREV
Tel.: +7-812-2172143
Faks: +7-812-2173251002
Adres e-mail
Russian Academy of Sciences
Russia
Politekhnicheskaya 26
194021 St. Petersburg
Russia
See on map
Kontakt administracyjny: Eugenia Victorovna KALININA
Tel.: +7-812-2479337
Faks: +7-812-2476425
Adres e-mail
Universitat Erlangen-Nurnberg
Germany
Staudtstrasse 7, Gebaude A3
91 058 Erlangen
Germany
See on map
Kontakt administracyjny: Gerhard PENSL
Tel.: +49-913-1858426
Faks: +49-913-1858426
Adres e-mail
Śledź nas na: RSS Facebook Twitter YouTube Zarządzany przez Urząd Publikacji UE W górę