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FP6

ULTRAGAN

Project ID: 6903
Gefördert unter

InAlN/(In)GaN Heterostructure Technology for Ultra-high Power Microwave Transistor

Von 2005-10-17

Projektdetails

Gesamtkosten:

EUR 3 012 605

EU-Beitrag:

EUR 2 000 000

Koordiniert in:

France

Finanzierungsprogramm:

STREP - Specific Targeted Research Project

Ziel

Koordinator

Alcatel Thales III-V Lab
France
Route de Nozay
91460 MARCOUSSIS
France
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Administrative Kontaktangaben: Sylvain DELAGE
Tel.: +33-1-69330802
Fax: +33-1-69330866
E-Mail-Adresse

Teilnehmer

AIXTRON AKTIENGESELLSCHAFT
Germany
Kackerstr. 15-17
52072 AACHEN
Germany
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Administrative Kontaktangaben: Michael HEUKEN
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
France
Université des Sciences et Technologies de Lille
59655 VILLENEUVE D'ASCQ
France
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Administrative Kontaktangaben: Jean Claude DE JAEGER
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE
Switzerland
Physics Building - Station 3
CH 1015 LAUSANNE
Switzerland
Administrative Kontaktangaben: Jean François CARLIN
ELEKTROTECHNICKY USTAV - SLOVENSKEJ AKADEMIE VIED
Slovakia
Dubravska cesta 9
842 39 BRATISLAVA
Slovakia
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Administrative Kontaktangaben: Karol FROHLICH
FOUNDATION FOR RESEARCH AND TECHNOLOGY - HELLAS
Greece
Vassilika Vouton
71110 HERAKLION
Greece
Administrative Kontaktangaben: Alexandros GEORGEAKILAS
TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN
Austria
Floragasse 7
1040 VIENNA
Austria
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Administrative Kontaktangaben: Dionyz POGANY
UNIVERSITAET ULM
Germany
Albert-Einstein-Alle 45
D-89081 ULM
Germany
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Administrative Kontaktangaben: Erhard KOHN
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