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FP6

ULTRAGAN

Project ID: 6903
Financiado con arreglo a

InAlN/(In)GaN Heterostructure Technology for Ultra-high Power Microwave Transistor

Desde 2005-10-17

Detalles del proyecto

Coste total:

EUR 3 012 605

Aportación de la UE:

EUR 2 000 000

Coordinado en:

France

Régimen de financiación:

STREP - Specific Targeted Research Project

Objetivo

Coordinador

Alcatel Thales III-V Lab
France
Route de Nozay
91460 MARCOUSSIS
France
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Contacto administrativo: Sylvain DELAGE
Tel.: +33-1-69330802
Fax: +33-1-69330866
Correo electrónico

Participantes

AIXTRON AKTIENGESELLSCHAFT
Germany
Kackerstr. 15-17
52072 AACHEN
Germany
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Contacto administrativo: Michael HEUKEN
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
France
Université des Sciences et Technologies de Lille
59655 VILLENEUVE D'ASCQ
France
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Contacto administrativo: Jean Claude DE JAEGER
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE
Switzerland
Physics Building - Station 3
CH 1015 LAUSANNE
Switzerland
Contacto administrativo: Jean François CARLIN
ELEKTROTECHNICKY USTAV - SLOVENSKEJ AKADEMIE VIED
Slovakia
Dubravska cesta 9
842 39 BRATISLAVA
Slovakia
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Contacto administrativo: Karol FROHLICH
FOUNDATION FOR RESEARCH AND TECHNOLOGY - HELLAS
Greece
Vassilika Vouton
71110 HERAKLION
Greece
Contacto administrativo: Alexandros GEORGEAKILAS
TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN
Austria
Floragasse 7
1040 VIENNA
Austria
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Contacto administrativo: Dionyz POGANY
UNIVERSITAET ULM
Germany
Albert-Einstein-Alle 45
D-89081 ULM
Germany
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Contacto administrativo: Erhard KOHN
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