Wspólnotowy Serwis Informacyjny Badan i Rozwoju - CORDIS

FP6

ULTRAGAN

Project ID: 6903
Źródło dofinansowania

InAlN/(In)GaN Heterostructure Technology for Ultra-high Power Microwave Transistor

Od 2005-10-17

Dane projektu

Całkowity koszt:

EUR 3 012 605

Wkład UE:

EUR 2 000 000

Kraj koordynujący:

France

System finansowania:

STREP - Specific Targeted Research Project

Cel

Koordynator

Alcatel Thales III-V Lab
France
Route de Nozay
91460 MARCOUSSIS
France
See on map
Kontakt administracyjny: Sylvain DELAGE
Tel.: +33-1-69330802
Faks: +33-1-69330866
Adres e-mail

Uczestnicy

AIXTRON AKTIENGESELLSCHAFT
Germany
Kackerstr. 15-17
52072 AACHEN
Germany
See on map
Kontakt administracyjny: Michael HEUKEN
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
France
Université des Sciences et Technologies de Lille
59655 VILLENEUVE D'ASCQ
France
See on map
Kontakt administracyjny: Jean Claude DE JAEGER
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE
Switzerland
Physics Building - Station 3
CH 1015 LAUSANNE
Switzerland
Kontakt administracyjny: Jean François CARLIN
ELEKTROTECHNICKY USTAV - SLOVENSKEJ AKADEMIE VIED
Slovakia
Dubravska cesta 9
842 39 BRATISLAVA
Slovakia
See on map
Kontakt administracyjny: Karol FROHLICH
FOUNDATION FOR RESEARCH AND TECHNOLOGY - HELLAS
Greece
Vassilika Vouton
71110 HERAKLION
Greece
Kontakt administracyjny: Alexandros GEORGEAKILAS
TECHNISCHE UNIVERSITAET WIEN
Austria
Floragasse 7
1040 VIENNA
Austria
See on map
Kontakt administracyjny: Dionyz POGANY
UNIVERSITAET ULM
Germany
Albert-Einstein-Alle 45
D-89081 ULM
Germany
See on map
Kontakt administracyjny: Erhard KOHN
Śledź nas na: RSS Facebook Twitter YouTube Zarządzany przez Urząd Publikacji UE W górę