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Résumé

L'étude de la réponse dynamique du plasma est appliquée ici au plasma de TCA. On a essentiellement mesuré la réponse dynamique de la température électronique déduite de l'émission des rayons X mous à la puissance de chauffage par ondes d'Alfvén d'une part et à l'injection de gaz en régime purement ohmique d'autre part. L'analyse de la réponse dynamique du paramètre de Shafranov montre que la perturbation de température est associée à une modification du profil de courant. On a ainsi pu établir que le comportement de la température électronique est entièrement déterminé par le profil de courant et n'est pas sensible à une éventuelle modification du profil de dépôt de l'énergie de l'onde d'Alfvén. Plus spécifiquement les phénomènes de transport de l'énergie ne sont pas associés à un processus convectif mais bien à un processus diffusif. Le profil de la phase de cette réponse peut être expliqué en invoquant soit une étroite zone proche de la surface q = 1 où la conductabilité thermique est réduite d'un ordre de grandeur soit une modification des coefficients de transport dans cette même région.

Informations supplémentaires

Auteurs: MORET J M, Centre de Recherches en Physique des Plasmas, Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (CH)
Références bibliographiques: Report: LRP 358/88 EN (1988)
Disponibilité: Available from Confédération Suisse, Centre de Recherches en Physique des Plasmas, Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne, 21 avenue des Bains, 1007 Lausanne (CH)
Numéro d'enregistrement: 198910582 / Dernière mise à jour le: 1994-12-01
Catégorie: publication
Langue d'origine: fr
Langues disponibles: fr