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Kurzbeschreibung

Die räumlichen Verteilungen von Dichte, Temperatur und effektiver Ladung der Teilchen in einem Fusionsplasma sind wichtige Parameter. Eine der Hauptinstrumente für solche Untersuchungen sind Lochkameras, wobei die Strahlung im weichen Roentgengebiet mit Halbleiterdioden beobachtet wird. Die energieabhängige Effizienz der Detektoren sollte bekannt sein. Diese Effizienz kann mittels des Absorptionsquerschnittes des Halbleiters, in diesem Falle Silikon, und der metallischen Totschichten der Dioden berechnet werden. Vorher wurde die empfindliche Dicke der Dioden, welche nur teilweise ausgeräumt sind, da sich das elektrische Feld nicht über die gesamte Dicke erstreckt, mittels der Poissonsche Gleichung errechnet. Untersuchungen zeigten, daß auch bei Niedrigspannung die Substratdicke die aktive Dicke zu sein scheint. Dies könnte durch Ladungsträgerdiffusion erklärt werden.
Diese Arbeit stellt die experimentellen Untersuchungen der Effizienzen drei verschiedener Arten von Silikondioden vor: eine Surface Barrier Diode die im Wendelstein 7 AS Experiment benutzt wird, eine ionenimplantierte Diode, welche im ASDEX UPGRADE und eine ionenimplantiete Diode, welche für Thomson-Streuungsexperimente benutzt wird. Als Strahlungsquelle dient eine gefilterte Roentgenröhre mit einer Strahlungsleistung zwischen 1.5 keV und 20 keV. Zusätzliche Untersuchungen auf Empfindlichkeit für sichtbares Licht wurden für weitere fünf Arten von Dioden unternommen.

Zusätzliche Angaben

Autoren: FUCHS C, Max-Planck-Institut für Plasmaphysik, Garching bei München (DE)
Bibliografische Referenz: Report: IPP 1/292 DE (1995) 91pp.
Verfügbarkeit: Available from Max-Planck-Institut für Plasmaphysik, 85748 Garching bei München (DE)
Datensatznummer: 199610325 / Zuletzt geändert am: 1996-03-29
Kategorie: publication
Originalsprache: de,en
Verfügbare Sprachen: de,en