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Pour des outils à faisceau électronique à haut rendement et des sources de lumière de forte intensité

Une technologie israélienne novatrice permet de développer des nanotubes de carbone (CNT, carbon nanotube) simples en vue de leur intégration dans des puces ou des structures MEM destinées à des applications électroniques avancées.
Pour des outils à faisceau électronique à haut rendement et des sources de lumière de forte intensité
La technologie ciblée sur le développement des nanotubes de carbone fait appel au procédé bon marché de déposition par vapeur chimique utilisant le procédé plasma (pe-CVD) sur différents substrats et dans des structures 3D. Il est ainsi possible de fabriquer des nanotubes de carbone à parois multiples (MWCNT, multi-wall carbon nanotube) simples ou en groupes. La technique pe-CVD pourrait être utilisée pour fabriquer des réseaux de nanotubes de carbone avec un contrôle total sur la localisation et la morphologie des nanotubes, même dans des structures 3D. La technique de production de CNT dans des structures de systèmes mécaniques microélectriques (MEMS, Micro-Electrical Machine System) est adaptée au remplacement de sources communes d'électrons dans de nombreuses applications.

La méthode de puits de cathodes repose sur la fabrication de nanotubes uniques à l'intérieur d'une structure en forme de puits brevetée produisant une source d'électrons d'émetteur de champ froid (FE, Field Emitter) offrant d'excellentes propriétés de faisceau. La technique permet d'obtenir des faisceaux d'électrons présentant une plus petite dispersion angulaire et, de ce fait, une moins grande interaction des électrons avec les parois et les ouvertures dans l'optique électronique associée. Les sources d'électrons FE froid se caractérisent par une très grande luminosité et sont adaptées à des outils à faisceau électronique de haut rendement ou à des sources de courant élevé. La méthode peut être facilement personnalisée pour des applications spécifiques avec un minimum d'efforts au niveau du développement des procédés de fabrication des MEMS.

Sur la base du procédé pe-CVD modifié et de la méthode de puits de cathodes et en fonction de l'application, des nombres arbitraires de sources d'électrons contrôlables individuellement sont intégrées sur une puce de l'émetteur. La puce affiche un contrôle individuel ou global de la tension d'extraction et, ce faisant, du courant d'émission. La taille des réseaux peut varier d'une source unique destinée à un microscope électronique à balayage (MEB) à un million de sources dans le cas de sources de courant élevé.

La puce de l'émetteur de champ des nanotubes de carbone pourrait trouver de nombreuses applications, parmi lesquelles des sources pour des outils à faisceau électronique à haut rendement dans les industries de fabrication de semi-conducteurs et d'instruments analytiques. Au vu de ses propriétés exceptionnelles, elle pourrait également remplacer les sources traditionnelles d'électrons de courant élevé dans des dispositifs de traitement de surface et de soudage par faisceau d'électrons. Elle pourrait en outre être utilisée comme source d'ionisation pour la spectrométrie de masse et comme source de cathode froide pour les tubes à rayons X, l'électronique sous vide et les accélérateurs de particules.

La technologie est protégée par des droits de propriété intellectuelle complets détenus par le développeur qui simplifient les efforts de développement commercial. Un fabricant d'outils de production de semi-conducteurs, de produits nanotechnologiques, d'appareils d'ionisation et d'instruments analytiques est recherché en vue du développement d'applications spécifiques et de la commercialisation.
Numéro d'enregistrement: 82393 / Dernière mise à jour le: 2006-02-06
Domaine: TI, Télécommunications