Wspólnotowy Serwis Informacyjny Badan i Rozwoju - CORDIS

FP6

INDOT — Wynik w skrócie

Project ID: 16956
Źródło dofinansowania: FP6-NMP
Kraj: Niemcy

Postęp w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych

Azotek indu ma ogromny potencjał jako materiał półprzewodnikowy do zastosowania w telekomunikacji, wysokowydajnych ogniwach słonecznych i modulatorach elektro-optycznych. Technologia półprzewodników azotkowych jest także o wiele bardziej przyjazna dla środowiska, ponieważ wykorzystuje nietoksyczne prekursory.
Postęp w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych
Projekt "Technologia MOCVD w produkcji urządzeń nanofotonicznych wykorzystujących azotek indu" (INDOT) miał na celu opracowanie technologii chemicznego osadzania powłok z fazy gazowej związków metaloorganicznych (MOCVD) służącej do przemysłowego wytwarzania urządzeń opartych na kropkach kwantowych (QD) azotku indu (InN). Finansowany ze środków UE projekt przewidywał także wykorzystanie zdobytej w jego ramach wiedzy do wytwarzania urządzeń opartych na stopach azotku indowo-galowego (InGaN) bogatego w InN i In.

Tworząc nowe prekursory umożliwiające wytwarzanie wysokiej jakości warstw InN QD i bogatych w In warstw InGaN, koncentrowano się na zapewnieniu niezawodnego procesu produkcji i możliwości dostosowania określonych procedur do zwiększonego zapotrzebowania produkcyjnego.

Partnerzy projektu INDOT opracowali trzy serie związków w celu uzyskania niższych temperatur otrzymywania półprzewodników, poprawienia kontroli stechiometrii oraz pełnego zoptymalizowania dostępnych parametrów osadzania. Naukowcy udoskonalili procesy doświadczalne, uzyskując wysoce czyste materiały w ramach niezawodnych i skalowalnych procedur. Tym samym przygotowano nowe połączenie prekursorów do zastosowania w produkcji wysokiej jakości urządzeń opartych na InN.

Działania związane z ulepszeniem urządzeń MOCVD pod kątem uzyskiwania InN i opartych na InN związków w niskich temperaturach polegały głównie na ich optymalizacji w ramach stabilnych, reprodukowalnych i wydajnych procesów. Największym osiągnięciem projektu INDOT w tym zakresie było udostępnienie prototypowej aparatury MOCVD do zastosowań badawczych i przemysłowych. Urządzenia można wykorzystać do produkcji zaawansowanych urządzeń opartych na InN lub bogatym w In InGaN.

Przy pomocy nowych prekursorów i zoptymalizowanej aparatury procesy MOCVD przystosowano do osadzania powłok InN QD i InGaN w niskich temperaturach, przy czym szczególnie udane okazało się użycie bogatego w In związku InGaN w temperaturach umiarkowanych. Innym osiągnięciem projektu INDOT jest uzyskanie bardzo płaskich powierzchni, co otwiera drogę do udoskonalenia uziarnienia InN.

Powiązane informacje

Śledź nas na: RSS Facebook Twitter YouTube Zarządzany przez Urząd Publikacji UE W górę