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Designing Devices by Doping on Demand

Description du projet

Une technologie innovante pour le dopage électronique

L’industrie des semi-conducteurs s’appuie sur le dopage électronique pour contrôler la densité des porteurs de charge. Cependant, de nouveaux matériaux semi-conducteurs prometteurs comme les polymères conducteurs, les fullerènes et les points quantiques ne peuvent pas être dopés par les méthodes traditionnelles. Dans ce contexte, le projet 4D, financé par l’UE, étudiera le potentiel d’application d’une technologie récemment développée pour le dopage à la demande de ces matériaux. Le projet comprendra le développement de dispositifs de démonstration pour montrer le potentiel de la technique, protéger la propriété intellectuelle et analyser l’intérêt des principales parties prenantes de l’industrie pour cette technologie. La technologie réduira la consommation d’énergie des lampes et des écrans et permettra la création de cellules solaires hautement efficaces traitables en solution.

Objectif

Electronic doping, the control over the charge carrier density, is at the heart of the success of the semiconductor industry. Promising new semiconductor materials like conductive polymers, fullerenes and quantum dots cannot be doped by traditional doping methods. The applicant and his group have developed a general method to dope these materials on demand with an electrochemical method, combined with photopolymerization of the solvents and electrolyte ions. This methods allows to precisely control the charge density in these new semiconductor materials and also allows patterning of the doping density via methods akin to photolithography used in the semiconductor industry. This enable the design of new device geometries, such as lateral pn junctions that could allow easy on chip integration of e.g. solution processable LEDs. The goal of this proof-of-concept application is to investigate the application potential of this newly developed technology. In particular it involves the development of demonstrator devices to showcase the technique’s potential, to investigate and protect the intellectual property and to analyze the interest from key industrial stakeholders in this technology. When successful, this technology has the potential to revolutionize the semiconductor industry. It could be of great economic potential and in addition may contribute to achieving sustainability goals by reducing energy consumption of lamps and displays and by offering new and improved means to harvest solar via highly efficient solution processable solar cells.

Régime de financement

ERC-POC - Proof of Concept Grant

Institution d’accueil

TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT
Contribution nette de l'UE
€ 150 000,00
Adresse
STEVINWEG 1
2628 CN Delft
Pays-Bas

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Région
West-Nederland Zuid-Holland Delft en Westland
Type d’activité
Higher or Secondary Education Establishments
Liens
Coût total
€ 150 000,00

Bénéficiaires (1)