Projektbeschreibung
Flächenselektive Abscheidung dient Fortschritten in der Nanostrukturierung
Strukturen im Nanometerbereich zu erzeugen, bildet die Basis der Halbleitertechnik von heute und morgen. Auf diese Weise können Bauelemente mit auf unter 7 nm verkleinert werden. So sind höhere Geschwindigkeiten, Transistordichten und Rechenleistungen realisierbar. Die Nanostrukturierung in diesen Größenordnungen bringt jedoch viele Herausforderungen mit sich. Zu beachten sind die erforderlichen Fotolacke für die Lithografie im extremen Ultraviolettbereich, Durchsatz und Prozesskosten, die Auswirkungen auf die Umwelt, das Problem der hochgradigen Komplexität und Fehler im Overlay. Daher werden innovative Lösungen gebraucht. Das EU-finanzierte Projekt ADMAIR hat zum Ziel, die echten Herausforderungen im Zusammenhang mit für den extremen Ultraviolettbereich geeigneten Materialien und Prozessen in der Größenordnung unterhalb von 10 nm zu meistern. Zu diesem Zweck wird das Team ein Bottom-Up-Strukturierungsverfahren, die sogenannte flächenselektive Abscheidung, einsetzen. Diese Arbeit wird Fortschritte im Bereich Nanostrukturierung auf den Weg bringen.
Ziel
Nanopatterning is the core of today’s and future semiconductor technology as it drives the downscaling of the devices below the 7 nm node, enabling higher speed, density of transistors and computing performance. In addition, nanofabricated three-dimensional patterned structures are used in devices for photonics, biotechnology and other forms of nanotechnology.[1]Beyond the 10nm node, extreme ultraviolet lithography (EUVL) with a light source of 13.5 nm, will be applied.[2],[3] Associated with nano-patterning at these dimensions, there is a long list of challenges: i) EUVL photoresists (PR) and mask infrastructure and control of the created nanoscale patterns; ii) throughput and process cost; iii) environmental footprint as it is based on litho-etch subtractive processes; iv) high complexity thus decreasing fabrication reliability; v) overlay errors and defectivity. Therefore, innovative solutions are required. Area selective deposition (ASD) offers the potential to relax downstream processing steps by enabling self-aligned processes and bottom-up lithography.
The main goal of this MSCA proposal Area-selective Deposition-enabled ultiMAte extensIon of lithogRaphy (ADMAIR) is to overcome the potentially show-stopping challenges associated with EUV materials and processes at the sub-10nm scale by an additive bottom-up concept. This will be enabled by interdisciplinary joint development projects involving material suppliers and lithography stakeholders, which is a unique advantage of IMEC and will complement the expertise of the candidate in material science and characterization. Ultimately, valuable professional development opportunities for the MSCA candidate and know-how for the host will be achieved.
Wissenschaftliches Gebiet
Programm/Programme
Thema/Themen
Aufforderung zur Vorschlagseinreichung
Andere Projekte für diesen Aufruf anzeigenFinanzierungsplan
MSCA-IF - Marie Skłodowska-Curie Individual Fellowships (IF)Koordinator
3001 Leuven
Belgien