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DEVELOPMENT OF A HIGH DEPOSITION RATE TECHNIQUE FOR DEVICE QUALITY THIN FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON.

Dal 1986-04-01 al 1989-09-30

Dettagli del progetto

Costo totale:

Non disponibile

Contributo UE:

Non disponibile

Coordinato in:

Greece

Argomento (i):

Meccanismo di finanziamento:

CSC - Cost-sharing contracts

Obiettivo

Coordinatore

Foundation for Research and Technology-Hellas
Greece
71110 Heraklion-Crete
Greece
Contatto amministrativo: CHRISTOU
Tel.: +30-2810-238480