Monolithic Optoelectronic Devices on Silicon

Informazioni relative al progetto

MODES

ID dell’accordo di sovvenzione: 704045

DOI 10.3030/704045

Progetto concluso il 31 Luglio 2017

Data della firma CE 18 Marzo 2016

Data di avvio 1 Luglio 2016

Data di completamento 30 Giugno 2018

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Costo totale € 175 419,60

Contributo UE € 175 419,60

Coordinato da

IBM RESEARCH GMBH
Switzerland

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (3)

Manipulating Surface States of III–V Nanowires with Uniaxial Stress

Autori: G. Signorello, S. Sant, N. Bologna, M. Schraff, U. Drechsler, H. Schmid, S. Wirths, M. D. Rossell, A. Schenk, H. Riel
Pubblicato in: Nano Letters, Numero 17/5, 2017, Pagina/e 2816-2824, ISSN 1530-6984
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b05098

Ballistic One-Dimensional InAs Nanowire Cross-Junction Interconnects

Autori: Johannes Gooth, Mattias Borg, Heinz Schmid, Vanessa Schaller, Stephan Wirths, Kirsten Moselund, Mathieu Luisier, Siegfried Karg, Heike Riel
Pubblicato in: Nano Letters, Numero 17/4, 2017, Pagina/e 2596-2602, ISSN 1530-6984
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00400

Ballistic one-dimensional transport in InAs nanowires monolithically integrated on silicon

Autori: J. Gooth, V. Schaller, S. Wirths, H. Schmid, M. Borg, N. Bologna, S. Karg, H. Riel
Pubblicato in: Applied Physics Letters, Numero 110/8, 2017, Pagina/e 083105, ISSN 0003-6951
Editore: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4977031