Monolithic Optoelectronic Devices on Silicon

Informacje na temat projektu

MODES

Identyfikator umowy o grant: 704045

DOI 10.3030/704045

Realizacja projektu zakończyła się 31 Lipca 2017

Data podpisania przez KE 18 Marca 2016

Data rozpoczęcia 1 Lipca 2016

Data zakończenia 30 Czerwca 2018

Finansowanie w ramach

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Koszt całkowity € 175 419,60

Wkład UE € 175 419,60

Koordynowany przez

IBM RESEARCH GMBH
Switzerland

Publikacje

Peer reviewed articles (3)

Manipulating Surface States of III–V Nanowires with Uniaxial Stress

Autorzy: G. Signorello, S. Sant, N. Bologna, M. Schraff, U. Drechsler, H. Schmid, S. Wirths, M. D. Rossell, A. Schenk, H. Riel
Opublikowane w: Nano Letters, Numer 17/5, 2017, Strona(/y) 2816-2824, ISSN 1530-6984
Wydawca: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b05098

Ballistic One-Dimensional InAs Nanowire Cross-Junction Interconnects

Autorzy: Johannes Gooth, Mattias Borg, Heinz Schmid, Vanessa Schaller, Stephan Wirths, Kirsten Moselund, Mathieu Luisier, Siegfried Karg, Heike Riel
Opublikowane w: Nano Letters, Numer 17/4, 2017, Strona(/y) 2596-2602, ISSN 1530-6984
Wydawca: American Chemical Society
DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00400

Ballistic one-dimensional transport in InAs nanowires monolithically integrated on silicon

Autorzy: J. Gooth, V. Schaller, S. Wirths, H. Schmid, M. Borg, N. Bologna, S. Karg, H. Riel
Opublikowane w: Applied Physics Letters, Numer 110/8, 2017, Strona(/y) 083105, ISSN 0003-6951
Wydawca: American Institute of Physics
DOI: 10.1063/1.4977031