Wspólnotowy Serwis Informacyjny Badan i Rozwoju - CORDIS

Study of SiGe layers epitaxially grown on Si by Ion sputter deposition

Od 1992-01-01 do 1994-12-31

Dane projektu

Całkowity koszt:

Niedostępne

Wkład UE:

Niedostępne

Kraj koordynujący:

France

Topic(s):

System finansowania:

CSC - Cost-sharing contracts

Cel

Koordynator

UNIVERSITE DE PARIS-SUD XI
France
Université Paris XI - Bètiment 414
91405 ORSAY
France
Kontakt administracyjny: N/A
Śledź nas na: RSS Facebook Twitter YouTube Zarządzany przez Urząd Publikacji UE W górę