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Stoichiometry and dopant effects on the crystallographic and electronic properties of silicon carbide crystals grown by the sublimation method

De 1994-09-01 à 1995-11-30

Détails concernant le projet

Coût total:

Non disponible

Contribution de l'UE:

EUR 30 000

Coordonné à/au(x)/en:

Germany

Objectif

Coordinateur

Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Germany
Martensstraße 7
91058 Erlangen
Germany
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Contact administratif: HOFMANN
Tél.: +49-9131-857634
Fax: +49-9131-858495

Participants

Russian Academy of Sciences
Russia
194021 St. Petersburg
Russia
Contact administratif: VODAKOV
THE CHANCELLOR, MASTERS AND SCHOLARS OF THE UNIVERSITY OF CAMBRIDGE
United Kingdom
Cavendish Laboratory, Madingley Road
CB3 0HE CAMBRIDGE
United Kingdom
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Contact administratif: HEINE