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Physics of strained semiconductor nanostructures based on GaSb/InAs and (Al,Ga)Sb/In(As,Sb) compounds

Von 1995-10-01 bis 1997-09-30

Projektdetails

Gesamtkosten:

Nicht verfügbar

EU-Beitrag:

EUR 61 000

Koordiniert in:

Italy

Ziel

Verwandte Informationen

Koordinator

Istituto Nazionale di Fisica Nucleare
Italy
Piazza dei Cavalieri 7
56126 Pisa
Italy
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Administrative Kontaktangaben: BELTRAM
Tel.: +39-50-509065
Fax: +39-50-563513

Teilnehmer

Russian Academy of Sciences
Russia
194021 St. Petersburg
Russia
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Administrative Kontaktangaben: SURIS
Russian Academy of Sciences - Siberian Branch
Russia
630090 Novosibirsk
Russia
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Administrative Kontaktangaben: CHAPLIK
Universität Hamburg
Germany
20448 Hamburg
Germany
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Administrative Kontaktangaben: HEITMANN
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