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SOurce Drain Architecture for Advanced MOS technology

Dal 2001-01-01 al 2003-12-31 | SODAMOS Sito web

Dettagli del progetto

Costo totale:

EUR 1 905 476

Contributo UE:

EUR 1 107 000

Coordinato in:

France

Meccanismo di finanziamento:

CSC - Cost-sharing contracts

Obiettivo

Coordinatore

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
France
3, RUE MICHEL-ANGE
75794 PARIS CEDEX 16
France
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Contatto amministrativo: Emmanuel DUBOIS, (Head of Microelectronics Group at IEMN)
Tel.: +33-32-0197916
Fax: +33-32-0197884
E-mail

Partecipanti

INSTITUT SUPERIEUR D'ELECTRONIQUE DU NORD
France
41, BOULEVARD VAUBAN
59046 LILLE
France
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Contatto amministrativo: Evelyne LAMPIN
Tel.: +33-32-0197919
Fax: +33-32-0197884
E-mail
INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ
Poland
al. Lotnikow 32/46
WARSZAWA
Poland
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Contatto amministrativo: Jerzy KATCKI
Tel.: +22-54-87760
Fax: +22-84-70631
E-mail
STMICROELECTRONICS SA
France
29 BOULEVARD ROMAIN ROLLAND
92120 MONTROUGE
France
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Contatto amministrativo: Thomas SKOTNICKI
Tel.: +47-6926679
E-mail
UNIVERSITE CATHOLIQUE DE LOUVAIN
Belgium
1 PLACE DE L'UNIVERSITE
1348 LOUVAIN-LA-NEUVE
Belgium
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Contatto amministrativo: Vincent BAYOT, (Head of group)
Tel.: +32-10-472557
Fax: +32-10-472598
E-mail