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A new gas-jet method using electron-beam activation for a high-rate deposition of crystalline silicon films

De 2002-08-01 à 2004-07-31

Détails concernant le projet

Coût total:

Non disponible

Contribution de l'UE:

EUR 90 000

Coordonné à/au(x)/en:

Belgium

Objectif

Coordinateur

Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC)
Belgium
75 Kapeldreef
3001 Leven
Belgium
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Contact administratif: Johan NIJS
Tél.: +32-16-281284
Fax: +32-16-281501
E-mail

Participants

Crimean State Industrial-Pedagogical Institute
Ukraine
21 Sevastopolskaya street
95015 Simferopol
Ukraine
Contact administratif: Fevzi Yakubovich YAKUBOV
Tél.: +380-65-2249495
Fax: +380-65-2241506
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Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
Russia
pr. Lavrentjeva 13
630090 Novosibirsk
Russia
Contact administratif: Olga Ivanovna SEMENOVA
Tél.: +7-383-2341733
Fax: +7-383-2332771
E-mail
Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
Russia
1 Prospect Lavrentyev
630090 Novosibirsk
Russia
Contact administratif: Ravel Gazizovich SHARAFUTDINOV
Tél.: +7-383-2341451
Fax: +7-383-2343480
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Universität Hagen
Germany
182 Haldener Street
58084 Hagen
Germany
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Contact administratif: Wolfgang FAHRNER
Tél.: +49-233-1987378
Fax: +49-233-1987321
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