Cel NANOSPIN aims at the development of novel multifunctional spintronic nanoscale devices whose mode of operation is designed to take optimum advantage of the specific magneto electric properties of ferromagnetic semiconductors. The devices combine non-volatility, low current consumption, high switching speed and excellent scalability.The project addresses a number of interlinked novel device concepts for the magnetic writing of information, including current induced switching and current induced domain wall motion, combined with novel readout concepts based on tunnelling anisotropic magneto resistance and double barrier structures. In addition the performance of the devices will be investigated in the frequency range beyond 1GHz. Since the project is strongly device oriented, we will use the well established and well understood ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn) as a vehicle material.This will enable us to focus on device action, rather than on materials issues. While this implies that the devices studied will necessarily operate at low temperatures only, the concepts developed by us should directly apply to any p-type ferromagnetic semiconductor. In this manner, the project complements ongoing materials research on room temperature ferromagnetic semiconductors.The work is carried out by leading European groups in the fields of spin transport in semiconductors, nanolithography, ferromagnetic semiconductor growth and characterization. Several industrial and semi-industrial partners will monitor the potential of the developed devices for industrial applicability and commercialisation for post CMOS applications. Dziedzina nauki natural sciencesphysical scienceselectromagnetism and electronicssemiconductivity Słowa kluczowe Nanotechnology Program(-y) FP6-IST - Information Society Technologies: thematic priority under the specific programme "Integrating and strengthening the European research area" (2002-2006). Temat(-y) IST-2002-2.3.4.1 - FET - Open Zaproszenie do składania wniosków Data not available System finansowania STREP - Specific Targeted Research Project Koordynator BAYERISCHE JULIUS-MAXIMILIANS UNIVERSITAET WUERZBURG Wkład UE Brak danych Adres SANDERRING 2 97070 WUERZBURG Niemcy Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych Uczestnicy (8) Sortuj alfabetycznie Sortuj według wkładu UE Rozwiń wszystko Zwiń wszystko CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE Francja Wkład UE Brak danych Adres 3, RUE MICHEL-ANGE 75794 PARIS CEDEX 16 Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych FYZIKALNI USTAV AV CR Czechy Wkład UE Brak danych Adres NA SLOVANCE 2 18221 PRAHA 8 Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych HITACHI EUROPE LIMITED Zjednoczone Królestwo Wkład UE Brak danych Adres LOWER COOKHAM ROAD SL6 8YA MAIDENHEAD Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych INSTYTUT FIZYKI PAN Polska Wkład UE Brak danych Adres AL. LOTNIKOW 32/46 02-668 WARSZAWA Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW Belgia Wkład UE Brak danych Adres KAPELDREEF 75 3001 LEUVEN Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych THALES Francja Wkład UE Brak danych Adres 45 RUE DE VILLIERS 92526 NEUILLY SUR SEINE Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych THE UNIVERSITY OF NOTTINGHAM Zjednoczone Królestwo Wkład UE Brak danych Adres University Park NG7 2RD NOTTINGHAM Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych UNIVERSITE PARIS-SUD Francja Wkład UE Brak danych Adres 15, RUE GEORGES CLEMENCEAU 91405 ORSAY CEDEX Zobacz na mapie Koszt całkowity Brak danych