Wspólnotowy Serwis Informacyjny Badan i Rozwoju - CORDIS


EURONIM Streszczenie raportu

Project ID: G5RD-CT-2001-00470
Źródło dofinansowania: FP5-GROWTH
Kraj: France

Free-standing GaN

Thick GaN layer were grown by HVPE on ELO quality GaN/sapphire. Afterwards the starting sapphire was separated either by laser lift off or by a CNRS proprietary technology. These free- standing GaN exhibit TDs in the mid 106cm{-2} and therefore are suitable for the growth of laser diode structures.

The process still needs to improved (reduction of the pits density, of the bow, of the warp, polishing).

Powiązane informacje

Reported by

2720, chemin de Saint Bernard, Les Moulins I
06220 Vallauris
Śledź nas na: RSS Facebook Twitter YouTube Zarządzany przez Urząd Publikacji UE W górę