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FP6

INDOT — Résultat en bref

Project ID: 16956
Financé au titre de: FP6-NMP
Pays: Allemagne

Une avancée dans les procédés de développement des matériaux pour semi-conducteurs

Le nitrure d’Indium présente un énorme potentiel dans le domaine des semi-conducteurs destinés aux télécommunications, aux cellules solaires à haute capacité et aux modulateurs électro-optiques. Les semi-conducteurs à base de nitrure sont par ailleurs bien plus écologiques puisque leur mise au point nécessite le recours à des précurseurs non toxiques.
Une avancée dans les procédés de développement des matériaux pour semi-conducteurs
Le projet INDOT («MOCVD technology for production of indium nitride based nanophotonic devices»), vise à exploiter la technologie de dépôt chimique en phase vapeur par composés organométalliques (MOCVD) en vue de produire des appareils nanophotoniques à base de nitrure d'indium. Il a permis de mettre au point une technologie MOCVD destinée à la production industrielle d'appareil à points quantiques (PQ) à base de nitrure d'indium (InN). Ce projet financé par l'UE visait à ce que ses travaux puissent être exploités dans le cadre de la fabrication d'appareils en alliage de nitrure d'indium et de nitrure d'indium gallium (InGaN) enrichi.

La mise au point de nouveaux précurseurs convenant à la production de couches PQ InN et InGaN enrichi ont permis d'obtenir un procédé de fabrication fiable. Par ailleurs, les travaux représentent un réel potentiel et certains procédés devraient être exploités à l'échelle industrielle.

Les partenaires du projet INDOT ont mis au point une série de composés permettant des températures de développement inférieures, ce qui améliore le contrôle de la stœchiométrie et optimise les paramètres de dépôt accessibles. Les procédés expérimentaux ont été affinés et ont révélé un rendement fiable et évolutif des matériaux ultra-purs. La nouvelle combinaison de précurseurs convenant à la fabrication de systèmes InN dans le respect des normes les plus strictes pouvait donc être présentée.

Les efforts déployés pour améliorer le matériel MOCVD en vue du développement à basse température des composés InN et à base d'InN ont permis une optimisation grâce à des procédés stables, répétables et efficaces. Mais c'est la mise à disposition d'un prototype MOCVD qui constitue la principale avancée réalisée par le projet INDOT dans ce domaine. Ce prototype peut être utilisé pour la recherche et dans l'industrie. Il permet la production d'appareils InN et InGaN enrichis, bien que le système ne se limite pas à ces éléments.

Grâce à de nouveaux précurseurs et à un matériel optimisé, des procédés MOCVD ont été mis au point afin de permettre le dépôt des films PQ InN et InGaN à basse température. Le développement de composés à base d'InGaN enrichis à des températures modérées s'est avéré particulièrement efficace. Parmi les autres avancées réalisées dans le cadre du projet INDOT, l'obtention de surfaces extrêmement planes qui permet l'amélioration de la structure des grains InN.

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