Servizio Comunitario di Informazione in materia di Ricerca e Sviluppo - CORDIS

FP6

INDOT — Risultato in breve

Project ID: 16956
Finanziato nell'ambito di: FP6-NMP
Paese: Germania

Processi di crescita dei materiali semiconduttori avanzati

Il nitruro di indio ha un enorme potenziale come materiale semiconduttore per applicazioni di telecomunicazione, celle solari ad alta efficienza e modulatori elettro-ottici. La crescita di semiconduttori composti di nitruro è anche una tecnologia ad alto valore ambientale poiché utilizza precursori atossici.
Processi di crescita dei materiali semiconduttori avanzati
Il progetto INDOT ("MOCVD technology for production of indium nitride based nanophotonic devices") è stato ideato per sviluppare una tecnologia di deposizione del vapore chimico di composti metallo-organici (MOCVD), la tecnologia per la produzione industriale di nitruro di indio (InN) basata su quantum dot (QD). Il progetto finanziato dall'UE ha prefigurato l'applicabilità del know-how prodotto anche alla produzione di dispositivi InN e In-rich di nitruro di indio e gallio (InGaN) a base di leghe.

Lo sviluppo di nuovi precursori isonei per la crescita di strati InN QD e In-rich InGaN di alta qualità orientati a garantire un processo di fabbricazione e un potenziale affidabili per scalare le procedure specifiche per il livello di produzione.

I partner del progetto INDOT hanno sviluppato tre serie di composti per l'accesso a temperature di crescita inferiori, migliorando il controllo della stechiometria e ottimizzando completamente i parametri di deposizione accessibili. I processi sperimentali sono stati raffinati, rivelando materiali ad altissima purezza di rendimento in modo affidabile e scalabile. La nuova combinazione dei precursori ideali per la fabbricazione di dispositivi basati su InN secondo i più alti standard, in questo modo, è risultata pronta per il lancio.

Gli sforzi per migliorare le attrezzature MOCVD per la bassa temperatura di crescita di InN e di composti a base di InN sottolineano la realizzazione di un'ottimizzazione attraverso processi stabili, riproducibili ed efficienti. Il principale risultato di INDOT in questo settore è stato messo a disposizione di prototipi di attrezzature MOCVD per la ricerca e lo sviluppo (R&S), così come per l'industria. Tale risultato può essere impiegato nella produzione di dispositivi avanzati basati su InN o In-rich InGaN, ma non è limitati a tali materiali.

Utilizzando i nuovi precursori e le attrezzature ottimizzate, i processi MOCVD sono stati sviluppati per la deposizione di pellicole InN QD e InGaN a basse temperature, con una crescita di In-rich InGaN a temperature moderate, dimostratasi particolarmente efficace. Tra gli altri successi ottenuti da INDOT si annoverano superfici estremamente piatte, che aprono la strada al miglioramento della struttura della grana InN.

Informazioni correlate