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FP6

BMR — Resultado resumido

Project ID: 505282
Financiado con arreglo a: FP6-NMP

Hacia la próxima generación de dispositivos de almacenamiento magnético de datos

La industria electrónica ha logrado un éxito tremendo en la mejora del rendimiento de los productos mediante la reducción de su tamaño. Investigadores financiados por la Unión Europea han contribuido con importantes avances tecnológicos y datos experimentales relacionados con la mecánica cuántica y el almacenamiento magnéticos de datos.
Hacia la próxima generación de dispositivos de almacenamiento magnético de datos
Al acercarnos a los límites físicos de la reducción de tamaño y dado que la capacidad máxima de almacenamiento de las unidades de disco está limitada por el tamaño de las partículas magnéticas de la superficie del disco, ha crecido el interés por un fenómeno denominado magnetorresistencia balística (BMR).La BMR es un efecto de mecánica cuántica relacionado con el momento angular intrínseco —espín— de un electrón, que convierte al electrón en la práctica en una diminuta aguja de brújula. Una reducción o un aumento de la resistencia eléctrica en un campo magnético aplicado proporciona a un dispositivo sensor unas dimensiones similares a las de las partículas magnéticas de un disco.Aunque es un campo floreciente, existen numerosas contradicciones y dificultades experimentales, y existe escepticismo.

Investigadores europeos iniciaron el proyecto BMR («Magnetorresistencia balística en nanocontactos de películas finas») para desarrollar técnicas de nanofabricación vanguardistas, para utilizarlas en combinación con la deposición de películas finas para producir nanoconstricciones de película fina (esencialmente guías de onda para electrones) y estudiar el comportamiento de la BMR en estos distintos nanocontactos.

Los investigadores consiguieron utilizar la nanofabricación mediante haces de iones focalizados (FIB) para producir nanoconstricciones de película fina con corriente paralela al plano (CIP) y corriente perpendicular al plano (CPP), y caracterizar el transporte de espín a escala nanométrica en estos dispositivos.

El análisis de los abundantes datos experimentales no pudo confirmar la existencia de BMR en estos dispositivos. Al contrario, los datos experimentales sobre magnetorresistencia relativos al tamaño de las constricciones contradicen las predicciones de BMR basadas en la teoría actual de la BMR.

Los resultados de BMR han supuesto una importante contribución a las técnicas de nanofabricación que podría llevar a una nueva generación de transistores. Además, los investigadores ampliaron los datos experimentales necesarios para comprobar las teorías sobre BMR y facilitaron la comprensión y explotación de los fenómenos mecánico-cuánticos.La continuación de las investigaciones debería allanar el camino hacia nuevos dispositivos espintrónicos y de almacenamiento de datos y ordenadores, con importantes implicaciones para la economía europea.

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