Electron transport and avalanche ionisation in 4H-SiC pn-structures at high electric field strength; development of W-band SiC IMPATT diode with pulse power higher of 60 W

Projektinformationen

ID Finanzhilfevereinbarung: INTAS-1997-01386

Projekt abgeschlossen

Startdatum 1 Februar 1999

Enddatum 31 März 2001

Finanziert unter

• International Association for the promotion of cooperation with scientists from the independent states of the former Soviet Union (INTAS), 1993-

Gesamtkosten € 0,00

EU-Beitrag € 59 900,00

Koordiniert durch

Foundation for Research and Technology-Hellas
Greece

Programm/Programme

• IC-INTAS - International Association for the promotion of cooperation with scientists from the independent states of the former Soviet Union (INTAS), 1993-

Thema/Themen

• 1B - Condensed Matter, Optics and Plasma Physics
• CNES - CNES

Aufforderung zur Vorschlagseinreichung

Data not available

Finanzierungsplan

Data not available

Koordinator

Foundation for Research and Technology-Hellas

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: Vassilika Vouton ; 711 10 Heraklion, Crete ; Griechenland
• Gesamtkosten: Keine Daten

Beteiligte (3)

Institut National Polytechnique de Grenoble

Frankreich

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: 23, rue des Martyrs ; 38016 Grenoble
• Gesamtkosten: Keine Daten

Russian Academy of Sciences

Russland

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: Politekhnicheskaya 26 ; 194021 St. Petersburg
• Gesamtkosten: Keine Daten

State Enterprise Research Institute "ORION"

Ukraine

• EU-Beitrag: Keine Daten
• Adresse: 8a, Ezhena Pot'e Str. ; 252128 Kiev
• Gesamtkosten: Keine Daten