Performances and Physical Limits of Heterostructure Field-Effect (HEFT) Transistors

Informazioni relative al progetto

NANOFET

ID dell’accordo di sovvenzione: 3042

Progetto chiuso

Data di avvio 2 Giugno 1989

Data di completamento 1 Marzo 1992

Finanziato da

• European strategic programme (EEC) for research and development in information technologies (ESPRIT), 1987-1992

Costo totale € 0,00

Contributo UE Nessun dato

Coordinato da

Interuniversitair Mikroelektronica Centrum
Belgium

Pubblicazioni

Other (1)

PERFORMANCE AND PHYSICAL LIMITS OF HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Autori: ALLE D R, BROERS A N, VAN ROSSUM M, LAUNOIS H, ET AL., ADDE R, CASTAGNE R, ANTONETTTI A (CAMBRIDGE UNIVERSITY, DEPARTMENT OF ENGINEERING (GB);IMEC, LEUVEN (BE);L2M, BAGNEUX (FR);IEF, ORSAY (FR);LOA, PALAISEAU (FR))
Pubblicato in: EXTRACT: ESPRIT '90 : CONFERENCE PROCEEDINGS (1990) PP. 851-864 (EUR 13148) KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS GROUP, PO BOX 322, 3300 AH DORDRECHT (NL), 1990, Pagina/e 851-864