Performances and Physical Limits of Heterostructure Field-Effect (HEFT) Transistors

Informazioni relative al progetto

NANOFET

ID dell’accordo di sovvenzione: 3042

Progetto chiuso

Data di avvio 2 Giugno 1989

Data di completamento 1 Marzo 1992

Finanziato da

• European strategic programme (EEC) for research and development in information technologies (ESPRIT), 1987-1992

Costo totale

Nessun dato

Contributo UE

Nessun dato

Coordinato da

Interuniversitair Mikroelektronica Centrum
Belgium

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I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Other (1)

PERFORMANCE AND PHYSICAL LIMITS OF HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Autori: ALLE D R, BROERS A N, VAN ROSSUM M, LAUNOIS H, ET AL., ADDE R, CASTAGNE R, ANTONETTTI A (CAMBRIDGE UNIVERSITY, DEPARTMENT OF ENGINEERING (GB);IMEC, LEUVEN (BE);L2M, BAGNEUX (FR);IEF, ORSAY (FR);LOA, PALAISEAU (FR))
Pubblicato in: EXTRACT: ESPRIT '90 : CONFERENCE PROCEEDINGS (1990) PP. 851-864 (EUR 13148) KLUWER ACADEMIC PUBLISHERS GROUP, PO BOX 322, 3300 AH DORDRECHT (NL), 1990, Pagina/e 851-864