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Electron transport and avalanche ionisation in 4H-SiC pn-structures at high electric field strength; development of W-band SiC IMPATT diode with pulse power higher of 60 W

Desde 1999-02-01 hasta 2001-03-31

Detalles del proyecto

Coste total:

No disponible

Aportación de la UE:

EUR 59 900

Coordinado en:

Greece

Coordinador

Foundation for Research and Technology-Hellas
Greece
Vassilika Vouton
711 10 Heraklion, Crete
Greece
Contacto administrativo: Konstantinos ZEKENTES
Tel.: +30-2810-394108
Fax: +30-2810-394106
Correo electrónico

Participantes

Institut National Polytechnique de Grenoble
France
23, rue des Martyrs
38016 Grenoble
France
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Contacto administrativo: Thierry OUISSE
Tel.: +33-4-76856050
Fax: +33-4-76856070
Correo electrónico
Russian Academy of Sciences
Russia
Politekhnicheskaya 26
194021 St. Petersburg
Russia
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Contacto administrativo: Konstantin Valentinovich VASSILEVSKI
Tel.: +7-812-2479337
Fax: +7-812-2476425
Correo electrónico
State Enterprise Research Institute "ORION"
Ukraine
8a, Ezhena Pot'e Str.
252128 Kiev
Ukraine
Contacto administrativo: Nikolaei Pavlovich BELOUSOV
Tel.: +380-44-5303492
Fax: +380-44-4463036
Correo electrónico
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