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V Mesa redonda sobre tecnologías para componentes de GaN en Noordwijk (Países Bajos)

Los días 2 y 3 de septiembre se celebrará en Noordwijk (Países Bajos) la V Mesa redonda sobre tecnologías para componentes de nitruro de galio (GaN).

Los semiconductores de banda prohibida ancha, como el nitruro de galio, se han situado entre los materiales más prometedores ...

2 Septiembre 2010 - 2 Septiembre 2010
Países Bajos
Los días 2 y 3 de septiembre se celebrará en Noordwijk (Países Bajos) la V Mesa redonda sobre tecnologías para componentes de nitruro de galio (GaN).

Los semiconductores de banda prohibida ancha, como el nitruro de galio, se han situado entre los materiales más prometedores para la fabricación de componentes electrónicos nuevos. El motivo es que ofrecen ventajas extraordinarias en cuanto a capacidad de potencia (corriente directa y microondas), insensibilidad a las radiaciones, funcionamiento a temperatura y frecuencia elevadas, propiedades ópticas e incluso capacidad de ruido baja. En virtud de estas propiedades, los componentes de banda prohibida ancha son importantes estratégicamente para el desarrollo de la próxima generación de sistemas espaciales.

Uno de los objetivos más destacados de este encuentro es promover el intercambio de información entre programas científicos aeroespaciales, de defensa, de agencias espaciales y financiados por la UE con el fin de evitar la repetición baldía de esfuerzos y asegurar la rápida transferencia de tecnología al sector de la fabricación. Se ha programado una sesión de debate abierto en la que se escuchará la opinión de los asistentes para definir los ámbitos más problemáticos y también para coordinar y planificar futuros programas de trabajo de investigación y desarrollo.Para más información, consulte:
http://www.congrex.nl/10m32/(se abrirá en una nueva ventana)
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