Conférence «Frontiers in electronic materials: correlation effects and memristive phenomena», à Aix-la-Chapelle en Allemagne
Une memristance est un composant électrique passif dipolaire à deux extrémités, conçu comme un élément de circuit non-linéaire dans lequel le flux électrique est une fonction de la charge électrique qui a traversé le composant. Les scientifiques ont montré que le phénomène de memristance se rencontre dans divers matériaux tels que des oxydes métalliques, des chalcogénures, le silicium amorphe, le carbone, et des composites de polymères et de nanoparticule.
Ces dernières années, on a découvert une multitude de phénomènes électroniques inhabituels. Ils surviennent dans des oxydes et des chalcogénures d'ordre élevé, et rencontrent un grand intérêt de la part des chercheurs en semi-conducteurs. Parmi ces phénomènes, citons une corrélation électronique élevée, la multi-ferroïcité, des effets spintroniques, des états électroniques protégés par la topologie, et des effets inattendus sur des interfaces hétérogènes complexes.
La conférence regroupera des leaders scientifiques dans ces domaines interdisciplinaires, pour discuter des découvertes révolutionnaires et des défis dans la recherche fondamentale, ainsi que des futures utilisations potentielles.Pour de plus amples informations, consulter: http://www.nature.com/natureconferences/fem2012/index.html(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)