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ICDS-19 - défectuosités des semi-conducteurs

La conférence internationale la plus récente sur les défectuosités des semi-conducteurs, ICDS-19, se déroulera du 21 au 25 juillet 1997, à Aveiro, au Portugal.

La série de conférences ICDS couvre des sujets variés concernant les propriétés fondamentales des défectuosités et i...

21 Juillet 1997 - 21 Juillet 1997
Portugal
La conférence internationale la plus récente sur les défectuosités des semi-conducteurs, ICDS-19, se déroulera du 21 au 25 juillet 1997, à Aveiro, au Portugal.

La série de conférences ICDS couvre des sujets variés concernant les propriétés fondamentales des défectuosités et impuretés des semi-conducteurs. ICDS-19 portera sur les travaux menés sur les semi-conducteurs à "wide-band gap" (GaN constituant un sujet clé) et leur application possible aux dispositifs à température élevée. Parmi les sujets d'un intérêt particulier sera celui des effets des radiations sur les matériaux des détecteurs.

Le programme de la conférence est destiné à donner aux participants un aperçu des tout derniers progrès accomplis dans la connaissance et l'exploitation des défauts.

Pour tout renseignement complémentaire, s'adresser à:

Universidade de Aveiro
Prof. Doutora Helena Nazare
Departamento de Fisica
P-3810 Aveiro
Tél. +351-34-370200; Fax +351-34-28600
E-mail: mhnazare@fis.ua.pt

ou au

Kings College London
Prof. Gordon Davies
Physics Department
The Strand
Londres WC2R 2LS%Royaume-Uni
Tél. +44-171-8732573; Fax +44-171-8732423
E-mail: g.davies@kcl.ac.uk

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