Metal-Piezoelectric-Insulator-Semiconductor Field-Effect-Transistor for high temperature pressure sensing applications

Informations projet

MPIS-FET

N° de convention de subvention: 300193

Projet clôturé

Date de début 11 Mars 2014

Date de fin 10 Mars 2016

Financé au titre de

• Specific programme "People" implementing the Seventh Framework Programme of the European Community for research, technological development and demonstration activities (2007 to 2013)

Coût total € 278 807,40

Contribution de l’UE € 278 807,40

Coordonné par

ASTON UNIVERSITY
United Kingdom