Metal-Piezoelectric-Insulator-Semiconductor Field-Effect-Transistor for high temperature pressure sensing applications

Información del proyecto

MPIS-FET

Identificador del acuerdo de subvención: 300193

Proyecto cerrado

Fecha de inicio 11 Marzo 2014

Fecha de finalización 10 Marzo 2016

Financiado con arreglo a

• Specific programme "People" implementing the Seventh Framework Programme of the European Community for research, technological development and demonstration activities (2007 to 2013)

Coste total € 278 807,40

Aportación de la UE € 278 807,40

Coordinado por

ASTON UNIVERSITY
United Kingdom