Metal-Piezoelectric-Insulator-Semiconductor Field-Effect-Transistor for high temperature pressure sensing applications

Informacje na temat projektu

MPIS-FET

Identyfikator umowy o grant: 300193

Projekt został zamknięty

Data rozpoczęcia 11 Marca 2014

Data zakończenia 10 Marca 2016

Finansowanie w ramach

• Specific programme "People" implementing the Seventh Framework Programme of the European Community for research, technological development and demonstration activities (2007 to 2013)

Koszt całkowity € 278 807,40

Wkład UE € 278 807,40

Koordynowany przez

ASTON UNIVERSITY
United Kingdom