Optoelectronic detection of single spin in silicon

Informazioni relative al progetto

ODESI

ID dell’accordo di sovvenzione: 708475

DOI 10.3030/708475

Progetto chiuso

Data della firma CE 15 Aprile 2016

Data di avvio 1 Giugno 2016

Data di completamento 31 Maggio 2018

Finanziato da

• EXCELLENT SCIENCE - Marie Skłodowska-Curie Actions

Costo totale € 173 076,00

Contributo UE € 152 430,00

Coordinato da

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS
France

Pubblicazioni

Conference proceedings (3)

SOI CMOS technology for quantum information processing

Autori: L. Hutin, B. Bertrand, R. Maurand, M. Urdampilleta, B. Jadot, H. Bohuslavskyi, L. Bourdet, Y.-M. Niquet, X. Jehl, S. Barraud, C. Bauerle, T. Meunier, M. Sanquer, S. De Franceschi, M. Vinet
Pubblicato in: 2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), 2017, Pagina/e 1-4, ISBN 978-1-5090-4502-0
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/ICICDT.2017.7993523

Towards quantum computing in Si MOS technology: Single-shot readout of spin states in a FDSOI split-gate device with built-in charge detector

Autori: M. Urdampilleta, L. Hutin, B. Jadot, B. Bertrand, H. Bohuslavskyi, R. Maurand, S. Barraud, C. Bauerle, M. Sanquer, X. Jehl, S. De Franceschi, T. Meunier, M. Vinet
Pubblicato in: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017, Pagina/e T172-T173, ISBN 978-4-86348-605-8
Editore: IEEE
DOI: 10.23919/VLSIT.2017.7998163

Harnessing Si CMOS technology for quantum information

Autori: L. Hutin, B. Bertrand, R. Maurand, M. Urdampilleta, B. Jadot, H. Bohuslavskyi, L. Bourdet, Y.-M. Niquet, X. Jehl, S. Barraud, C. Bauerle, T. Meunier, M. Sanquer, S. De Franceschi, M. Vinet
Pubblicato in: 2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2017, Pagina/e 141-142, ISBN 978-4-8634-8647-8
Editore: IEEE
DOI: 10.23919/SNW.2017.8242337