HELIOS et la révolution sur silicium
Des chercheurs européens sont parvenus à présenter un émetteur accordable intégré sur silicium; il s'agit là d'une grande première. Ces résultats sont le fruit du projet HELIOS («Photonics electronics functional integration on complementary metal oxide-semiconductor, CMOS») soutenu à hauteur de 8,5 millions d'euros au titre du thème «Technologies de l'information et de la communication» (TIC) du septième programme-cadre (7e PC). Ces résultats ont été présentés lors de l'Optical Fiber Communication Conference 2012, qui a eu lieu récemment à Los Angeles, aux États-Unis. Des experts du CEA-Leti (le laboratoire de recherche spécialisé dans l'électronique et les technologies de l'information du Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) et le laboratoire III-V, laboratoire commun à Alcatel-Lucent Bell Labs en France, à Thales Research and Technology au Royaume-Uni et au CEA-Leti, annoncent avoir fait la démonstration d'un émetteur accordable intégré sur silicium, ce qui représente une étape majeure en direction d'émetteurs/récepteurs entièrement intégrés. Des chercheurs de l'université de Gand et de l'IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) en Belgique, ainsi que l'université de Surrey au Royaume-Uni, qui a conçu le modulateur, ont soutenu la recherche. Le CEA-Leti et le Laboratoire III-V ont également fait la démonstration de lasers accordables à une seule longueur d'onde, avec un seuil de 21mA à 20 degrés Celsius, une plage d'accord de 45 nm et un taux de réjection des modes spatiaux supérieur à 40 dB sur la plage d'accord. La photonique sur silicium est une technologie très puissante. En effet, elle promet d'adapter la production à grande échelle de CMOS aux dispositifs photoniques qui sont encore coûteux du fait de l'absence d'une technologie universelle. L'un des principaux obstacles au développement de la photonique sur silicium est l'absence de sources optiques sur silicium, le matériau de base sur le CMOS. «Nous pouvons surmonter cet obstacle en collant du matériau III-V nécessaire aux sources de lumière actives sur une tranche de silicium, puis en traitant les deux simultanément, nous permettant d'obtenir deux choses en même temps», explique Martin Zirngibl, responsable à Bell Labs Physical Technologies Research. «Le traitement traditionnel du CMOS est encore utilisé dans le processus, mais nous pouvons désormais intégrer des sources de lumière actives directement dans le silicium». Commentant les résultats, Laurent Fulbert, responsable des programmes Photoniques du CEA-Leti, explique: «Nous sommes fiers de présenter en collaboration avec le laboratoire III-V les résultats de l'émetteur photonique sur silicium intégré et du laser accordable. Cette capacité à intégrer un laser accordable, un modulateur et des guides d'ondes passives sur du silicium ouvre la voie à de nouveaux développements pour les émetteurs intégrés qui pourront répondre aux nombreuses demandes d'applications sur les réseaux métropolitains et les réseaux d'accès, les serveurs, les centres de données, les ordinateurs haute performance et les interconnexions optiques au niveau du rack et de la carte. Nous sommes ravis de contribuer à ces exceptionnels résultats qui sont véritablement en mesure de révolutionner la communication optique».Pour de plus amples informations, consulter: CEA-Leti: http://www.leti.fr(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre) HELIOS: http://www.helios-project.eu(s’ouvre dans une nouvelle fenêtre)
Pays
Belgique, France, Royaume-Uni, États-Unis