Une technologie de pointe pour les transistors
Le projet DENIS, auquel participent de grandes institutions et spécialistes de l'ingénierie des semi-conducteurs en Europe, a fabriqué des tranches de nitrure de gallium (GaN) pouvant servir à la production de transistors de haute qualité. Deux approches différentes ont été appliquées. La première s'est appuyée sur l'épitaxie métallo-organique en phase gazeuse (MOVPE), la croissance du substrat de GaN ayant été réalisée par épitaxie en phase gazeuse hybride (HVPE). La galette ainsi produite possédait des propriétés physiques convenant aux transistors à forte mobilité d'électrons (HEMT). Après traitement de la galette et création des barrières en AlGaN, les transistors obtenus ont subi des tests approfondis. Les paramètres mesurés se sont avérés comparables à ceux des transistors fabriqués aux États-Unis et au Japon. En outre, les techniques sophistiquées d'épitaxie ont facilité la production de galettes dotées de propriétés physiques réglables et reproductibles, un point critique pour toute production commerciale. La seconde approche, tout aussi novatrice, a appliqué une technique de croissance par épitaxie de faisceau moléculaire pour la préparation de structures mixtes GaN/AlGaN. Ici, le substrat était du nitrure de gallium dopé au magnésium. Le résultat, inattendu et spectaculaire, a été la réalisation de structures avec des caractéristiques record en matière de mobilité. De telles structures vont ouvrir de nouvelles voies de recherche fondamentale portant sur divers phénomènes très intéressants. Déjà, de nouveaux effets sont attendus pour le régime de l'effet Hall quantique. Les techniques développées vont dynamiser les technologies à base de nitrures en Europe et, dans un futur proche, on s'attend à ce que le consortium passe à la production commerciale, car les deux méthodes sont reproductibles et applicables à grande échelle.
