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Fast and novel manufacturing technologies for thin multicrystalline silicon solar cells - (FANTASI)

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Optimisation de la production d'énergie à partir de piles solaires en silicium

Des ingénieurs du Technion, l'Institut des technologies de l'état d'Israël, ont découvert la manière d'augmenter le rendement des piles solaires en silicium polycristallin, en gravant leur surface.

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L'Union européenne a défini des objectifs ambitieux en matière de production d'électricité à partir de l'énergie solaire. Pour les atteindre, il faut s'affranchir des barrières actuelles, tant techniques que financières. Le programme Énergie, environnement et développement durable (EESD) finance la recherche en vue d'améliorer l'efficacité des technologies solaires. C'est le cas du projet FANTASI, qui s'intéresse aux piles solaires à base de silicium polycristallin (mc-Si). L'institut Technion (TIIT), partenaire du consortium FANTASI, s'est attaché à améliorer la méthode de gravure qualifiée de dissolution par différence de potentiel négative (Negative potential dissolution ou NPD). Le fait de graver la surface du mc-Si améliore ses performances, mais jusqu'ici le processus était très coûteux. Les spécialistes des matériaux en Israël ont commencé leur travaux sur du silicium monocristallin, puis ont élargi leurs découvertes au silicium polycristallin et au silicium EFG (Edge-defined film-fed growth, croissance de silicium par ruban autosupporté). Leurs expériences ont montré qu'il fallait maintenir un potentiel égal ou inférieur à -20V. En outre, ils ont découvert que l'érosion du silicium était maximale pour une concentration alcaline de la solution comprise entre 20 et 24%. Le processus NPD a été adapté pour produire une texturation isotrope aussi bien qu'anisotrope. Enfin, la durée étant un facteur critique, le TIIT a pu obtenir des résultats de haute qualité en moins de 60 secondes. les prochaines études du TIIT et de ses partenaires dans le cadre de FANTASI s'intéresseront à élargir les applications de la NPD et à agrandir la zone gravée.

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