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Resultado final
Growth of hexagonal GeSi nanowires on hexagonal substrates (M6)
Delivery of 2.6 μm detection system to TUM (se abrirá en una nueva ventana)Delivery of 2.6 μm detection system to TUM (M8)
Report on the interband polarization selection rules in hex-GeSi alloys (se abrirá en una nueva ventana)Report on the interband polarization selection rules in hex-GeSi alloys (M12)
Formation of a p-i-n junction in a hexagonal GeSi nanowire (se abrirá en una nueva ventana)Formation of a p-i-n junction in a hexagonal GeSi nanowire (M12)
Report on fabrication and electrical characterization of hex-GeSi nanowire devices (se abrirá en una nueva ventana)Report on fabrication and electrical characterization of hex-GeSi nanowire devices (M12)
Publicaciones
Autores:
Denny Lamon, Hidde A. J. van der Donk, Marcel A. Verheijen, Marvin M. Jansen, Erik P. A. M. Bakkers
Publicado en:
Nano Letters, Edición 25, 2025, ISSN 1530-6984
Editor:
American Chemical Society (ACS)
DOI:
10.1021/ACS.NANOLETT.5C00267
Autores:
Luiz H. G. Tizei, Michele Re Fiorentin, Thomas Dursap, Theodorus M. van den Berg, Marc Túnica, Maurizia Palummo, Mathieu Kociak, Laetitia Vincent, Michele Amato
Publicado en:
Nano Letters, Edición 25, 2025, ISSN 1530-6984
Editor:
American Chemical Society (ACS)
DOI:
10.1021/ACS.NANOLETT.5C01406
Autores:
Zoltán György, András Pályi, Gábor Széchenyi
Publicado en:
Physical Review B, Edición 112, 2025, ISSN 2469-9950
Editor:
American Physical Society (APS)
DOI:
10.1103/GQ3H-76MX
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