Revealing the physics of switching mechanism in 2D materials based memristor devices (2DMEM)

Información del proyecto

2DMEM

Identificador del acuerdo de subvención: 101109772

DOI

10.3030/101109772

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 14 Julio 2023

Fecha de inicio 1 Octubre 2023

Fecha de finalización 31 Marzo 2026

Financiado con arreglo a

• Marie Skłodowska-Curie Actions (MSCA)

Coste total

Sin datos

Aportación de la UE

€ 199 694,40

Coordinado por

UNIVERSITY COLLEGE CORK - NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK
Ireland

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Publicaciones

Peer reviewed articles (2)

Atomic-Scale Defects and Edge Engineering of ZrSe ₂ Nanosheets: Correlated Microscopy, Spectroscopy and DFT Study with Implications for Quantum Device Applications

Autores: Sharieh Jamalzadeh Kheirabadi; Luca Persichetti; Lida Ansari; Gabriele Anselmi; Paul K. Hurley; Luca Camilli; Farzan Gity
Publicado en: ACS Applied Nano Materials, 2025, ISSN 2574-0970
Editor: ACS Publication
DOI: 10.1021/ACSANM.5C03451

Oxidation-driven structural, chemical and electrical transformation in ZrSe2

Autores: Kimberly Intonti, Hazel Neill, Sharieh Jamalzadeh Kheirabadi, Zabeada Aslam, Timothy Moorsom, Joslin Sunder Prasanna, Rafik Addou, Luca Persichetti, Anna Sgarlata, Luca Camilli, Stephen O'Sullivan, Vilas Patil, Davinder Singh, Brendan Sheehan, Paul K. Hurley, Lida Ansari, Antonio Di Bartolomeo, Farzan Gity
Publicado en: Materials Today Advances, Edición 28, 2026, ISSN 2590-0498
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MTADV.2025.100654

Conference proceedings (1)

Correlation of TMD Defects with Device Performance in Ultra-Scaled Channels: Theoretical Insights and Experimental Observations

Autores: Lida Ansari, Andrey Vyatskikh, Chelsey Dorow, Saurabh Kharwar, Sharieh Jamalzadeh Kheirabadi, Paul K. Hurley, Luca Camilli, Manuela Scarselli, Matthew Shaw, Lutfe Siddiqui, Ashish Penumatcha, Kevin O'Brien, Carly Rogan, Scott B. Clendenning, Jessica Torres, Uygar Avci, Farzan Gity
Publicado en: 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2025
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/IEDM50854.2024.10873322